La producción de memoria flash 3D de décima generación en la planta K2 de Japón busca responder al crecimiento de la inteligencia artificial, los centros de datos y las aplicaciones de alto rendimiento con mayor capacidad, eficiencia energética y escalabilidad. La inteligencia artificial está impulsando una nueva carrera por la infraestructura de almacenamiento. Kioxia y Sandisk anunciaron el inicio de la producción de memorias flash 3D de décima generación en Japón, una tecnología diseñada para ofrecer mayor densidad, rendimiento y eficiencia energética ante la creciente demanda de aplicaciones de IA y centros de datos.

Claves de la noticia

• Kioxia y Sandisk producen memoria flash 3D de décima generación.
• La nueva tecnología incorpora arquitectura CBA.
• La planta K2 amplía su capacidad para responder al auge de la IA.
• El diseño prioriza eficiencia energética y resiliencia sísmica.
• La alianza tecnológica se extiende hasta 2034.

Tokio, Japón y Milpitas, EE.UU. de Norteamérica, 12 de julio de 2026.— El crecimiento acelerado de los entornos de inteligencia artificial está transformando no solo la capacidad de procesamiento, sino también las necesidades de almacenamiento de datos. En este contexto, Kioxia y Sandisk iniciaron la fabricación de su memoria flash NAND 3D de décima generación en la planta Fab2 (K2), ubicada en Kitakami, Japón, reforzando una colaboración tecnológica de más de 25 años orientada a desarrollar soluciones de almacenamiento de alto rendimiento para centros de datos, sistemas de IA y aplicaciones de próxima generación.

Un mercado en transformación

Durante años, el rendimiento de los sistemas informáticos estuvo determinado principalmente por la potencia de los procesadores. Hoy, la expansión de la inteligencia artificial generativa, el cómputo de alto desempeño (HPC) y los centros de datos hiperescalables ha convertido al almacenamiento en un componente estratégico. La capacidad para leer, escribir y mover grandes volúmenes de información con rapidez y eficiencia energética será uno de los factores que definirán la próxima generación de infraestructura digital.

La memoria flash evoluciona para responder a la IA

La producción de la memoria flash NAND 3D de décima generación representa un nuevo paso en la hoja de ruta tecnológica desarrollada conjuntamente por Kioxia y Sandisk. La fabricación se realizará en la Fab2 (K2) de Kitakami, una instalación inaugurada en 2025 que ya producía memorias de octava generación y que ahora incorpora la nueva arquitectura para responder al incremento sostenido de la demanda mundial. La estrategia busca sostener el crecimiento de capacidad de almacenamiento necesario para aplicaciones basadas en inteligencia artificial, análisis masivo de datos y servicios cloud.

La arquitectura CBA mejora rendimiento y eficiencia

Uno de los elementos más importantes de esta nueva generación es la incorporación de la tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array). Esta arquitectura une directamente los circuitos CMOS con la matriz de memoria NAND, reduciendo la distancia entre ambos componentes. Como resultado, ofrece:

• Mayor velocidad de transferencia;
• Incremento de capacidad;
• Menor consumo energético;
• Mejor eficiencia de fabricación.

Estas características son especialmente relevantes para infraestructuras de IA que requieren almacenar y acceder rápidamente a enormes volúmenes de información.

Una fábrica diseñada para la próxima década

La planta Fab2 (K2) incorpora criterios de ingeniería orientados tanto al rendimiento industrial como a la sostenibilidad. Entre sus características destacan:

• Estructura antisísmica;
• Equipos de fabricación de última generación;
• Distribución inteligente de salas limpias;
• Optimización energética mediante inteligencia artificial.

La utilización de IA en la propia operación industrial refleja cómo esta tecnología comienza a transformar también los procesos de manufactura avanzada.

Koichiro Shibayama: la memoria será un habilitador del crecimiento de la IA

El presidente y director ejecutivo de Kioxia Iwate Corporation, Koichiro Shibayama, destacó el papel estratégico que desempeñará esta nueva generación de memorias.

Nos complace iniciar la producción de nuestra avanzada memoria flash de décima generación aquí en Kitakami. Las memorias flash de octava generación y generaciones posteriores fabricadas en la Fab2 aportarán nuevo valor al mercado de IA, que se encuentra en plena expansión. Gracias a esta alianza y a las ventajas de escala, Kioxia seguirá fabricando soluciones flash de vanguardia y avanzará hacia un crecimiento corporativo sostenible. Asimismo, contribuirá al progreso de la industria de los semiconductores y al desarrollo de las economías locales y nacionales”.

El ejecutivo señaló además que la combinación entre innovación tecnológica y economías de escala permitirá fortalecer tanto la competitividad de la empresa como el desarrollo de la industria japonesa de semiconductores.

Sandisk apuesta por una alianza de largo plazo

Por su parte, Alper Ilkbahar, Chief Technology Officer de Sandisk Corporation, resaltó la continuidad de una colaboración que supera los 25 años.

Durante décadas, Sandisk y Kioxia han impulsado la innovación en memoria flash NAND. El inicio de la producción de nuestra memoria flash 3D de décima generación en las instalaciones de Kitakami representa un hito importante para ambas empresas ante la creciente demanda de tecnologías flash de alto rendimiento. A través de K2, seguiremos ofreciendo a nuestros clientes la tecnología NAND líder a nivel mundial, además de generar nuevas oportunidades económicas para las comunidades donde operamos y reflejar la solidez de las relaciones económicas entre Estados Unidos y Japón”.

El ejecutivo añadió que la planta K2 contribuirá a mantener el liderazgo tecnológico en memoria NAND y fortalecerá la cooperación industrial entre Japón y Estados Unidos.

La infraestructura de almacenamiento adquiere un papel estratégico

La ampliación de la producción coincide con un momento en que la industria experimenta una fuerte demanda de memoria de alta densidad para servidores de IA, almacenamiento empresarial, dispositivos móviles avanzados y centros de datos. Más allá del aumento de capacidad, el desafío consiste en mejorar la eficiencia energética y reducir el costo por bit almacenado, dos factores fundamentales para sostener el crecimiento de la economía digital.

Visión de futuro

La tecnología detrás de la memoria flash 3D

La memoria NAND 3D organiza las celdas de almacenamiento en múltiples capas verticales, permitiendo aumentar significativamente la capacidad sin incrementar proporcionalmente la superficie ocupada por el chip.

Lo que cambia para los centros de datos

Las nuevas generaciones de memoria flash permiten almacenar mayores volúmenes de información, acelerar el acceso a datos utilizados por modelos de IA y reducir el consumo energético de las infraestructuras digitales.

El impacto para la industria de semiconductores

La creciente demanda de inteligencia artificial está impulsando inversiones simultáneas en procesadores, memoria, almacenamiento y fabricación avanzada, fortaleciendo el papel estratégico de la industria mundial de semiconductores.

Relación con la evolución de la infraestructura para IA

La expansión de la inteligencia artificial depende tanto de la capacidad de procesamiento como de la velocidad con que los sistemas almacenan y recuperan información. En ese contexto, la memoria flash NAND de nueva generación se consolida como uno de los componentes fundamentales que permitirán sostener el crecimiento de modelos de IA cada vez más grandes, complejos y demandantes.

¿Por qué importa?

Para los CIOs, CTOs, arquitectos de infraestructura y responsables de centros de datos, la evolución de la memoria flash influye directamente en el rendimiento de aplicaciones críticas, inteligencia artificial y servicios cloud. Mejorar la densidad de almacenamiento, la eficiencia energética y la velocidad de acceso a los datos será determinante para soportar la próxima generación de plataformas digitales.

Visión Estratégica

La carrera por la inteligencia artificial ya no depende exclusivamente de procesadores más potentes. La infraestructura de almacenamiento se está convirtiendo en un factor estratégico para sostener modelos generativos, analítica avanzada y servicios cloud de gran escala. En este escenario, tecnologías como la memoria flash NAND 3D de décima generación permitirán incrementar la capacidad, optimizar el consumo energético y mejorar el rendimiento de los centros de datos.

Para el Perú y para América Latina, esta evolución repercutirá principalmente en la infraestructura utilizada por proveedores de nube, operadores de telecomunicaciones, instituciones financieras y organizaciones que adopten soluciones de IA. Aunque la fabricación de estos semiconductores se concentra en Asia y Estados Unidos, sus avances impactarán directamente en la disponibilidad, el desempeño y la eficiencia de las plataformas digitales desplegadas en la región.

Datos citables

• Kioxia y Sandisk iniciaron la producción de memoria flash 3D de décima generación.
• La fabricación se realiza en la planta Fab2 (K2) de Kitakami, Japón.
• La nueva arquitectura incorpora tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array).
• La planta utiliza inteligencia artificial para optimizar procesos industriales.
• La colaboración entre ambas empresas se extiende hasta diciembre de 2034.
• La alianza tecnológica supera los 25 años de desarrollo conjunto.
• La nueva memoria está orientada a centros de datos, IA generativa y almacenamiento de alto rendimiento.

Knowledge Layer | Glosario IT/USERS® Magazine

¿Qué es la memoria flash NAND?

La memoria flash NAND es una tecnología de almacenamiento no volátil que conserva la información incluso cuando el dispositivo está apagado. Se utiliza en unidades SSD, teléfonos inteligentes, centros de datos, cámaras digitales y una amplia variedad de dispositivos electrónicos debido a su alta velocidad, densidad y eficiencia energética.

¿Qué es la memoria flash 3D?

La memoria flash 3D organiza las celdas de almacenamiento en múltiples capas verticales, aumentando significativamente la capacidad por chip sin ampliar su superficie. Este diseño mejora el rendimiento, reduce el consumo energético y optimiza los costos de fabricación.

¿Qué es la tecnología CBA?

CMOS directly Bonded to Array (CBA) es una arquitectura que une directamente los circuitos CMOS con la matriz de memoria NAND. Esta integración reduce la distancia entre ambos componentes, mejora la velocidad de transferencia, incrementa la densidad de almacenamiento y disminuye el consumo de energía.

¿Qué es un bit en almacenamiento?

Un bit es la unidad mínima de información digital. En la industria de memorias, el crecimiento en «bits» hace referencia al aumento de la capacidad total de almacenamiento que un fabricante puede producir y suministrar al mercado.

¿Qué es una sala limpia (Clean Room)?

Una sala limpia es un entorno industrial con estrictos controles sobre partículas, temperatura, humedad y contaminación ambiental. Es indispensable para fabricar semiconductores, ya que incluso partículas microscópicas pueden afectar el funcionamiento de los chips.

¿Qué es un SSD?

Una unidad de estado sólido (SSD) es un dispositivo de almacenamiento basado en memoria flash que ofrece velocidades de lectura y escritura significativamente superiores a las de los discos duros mecánicos tradicionales, además de menor consumo energético y mayor resistencia física.

¿Qué es la infraestructura de almacenamiento para IA?

Es el conjunto de memorias, unidades SSD, sistemas de almacenamiento y redes especializadas que permiten guardar, acceder y procesar de forma eficiente los enormes volúmenes de datos requeridos por modelos de inteligencia artificial y aplicaciones de alto rendimiento.

¿Qué es la fabricación de semiconductores?

La fabricación de semiconductores es el proceso industrial mediante el cual se producen circuitos integrados y chips electrónicos utilizando materiales como el silicio. Requiere tecnologías de precisión extrema y constituye uno de los pilares de la economía digital moderna.

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La inteligencia artificial suele asociarse con modelos avanzados y procesadores de última generación, pero su crecimiento también depende de componentes menos visibles, como la memoria flash y las tecnologías de almacenamiento que hacen posible gestionar enormes volúmenes de información con rapidez y eficiencia.

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