TOKIO, Japón, 03 de julio del 2017.— Toshiba Memory Corporation líder mundial en soluciones de memoria, anunció que desarrolló un prototipo de muestra de la memoria flash tridimensional (3D) BiCS FLASH™ de 96 capas con una estructura de celdas apiladas^[1], con tecnología de 3 bits por celda (celda de triple nivel: triple-level cell o TLC).

El envío de las muestras del nuevo producto de 96 capas, que es un dispositivo de 256 gigabits (32 gigabytes), está programado para la segunda mitad de 2017 y su producción masiva comenzará en 2018. El nuevo dispositivo cumple con las demandas y especificaciones de desempeño del mercado para aplicaciones que incluyen unidades de estado sólido (SSD) para consumidores y empresas, teléfonos inteligentes, tablets y tarjetas de memoria.

En adelante, Toshiba Memory Corporation aplicará su nueva tecnología de proceso de 96 capas a productos de mayor capacidad, como 512 gigabits (64 gigabytes) y, en un futuro cercano, a tecnología de 4 bits por celda (celdas de cuádruple nivel: quadruple-level cell o QLC).

El innovador proceso de apilamiento de 96 capas se combina con un circuito avanzado y la tecnología de procesos de fabricación para hacer posible un aumento de capacidad de aproximadamente el 40 % por tamaño de unidad de chip en el proceso de apilamiento de 64 capas. Reduce el costo por bit y aumenta la productibilidad de capacidad de memoria por oblea de silicio.

Desde el anuncio del primer^[2] prototipo de tecnología de memoria flash 3-D del mundo en 2007, Toshiba Memory Corporation continuó avanzando en el desarrollo de la memoria flash 3-D, y promociona activamente la BiCS FLASH™ para satisfacer la demanda de capacidades mayores con matrices de menor tamaño.

Esta BiCS FLASH™ de 96 capas se fabricará en la Planta 5, la nueva Planta 2 y la Planta 6 de Yokkaichi Operations, que se inaugurarán en el verano de 2018.

Notas:

1. Una estructura que apila verticalmente células de memoria Flash sobre una base de silicio para alcanzar significativas mejoras de densidad en comparación con la memoria Flash NAND plana, donde las células se forman en la base de silicio.
2. Fuente: Toshiba Memory Corporation, al 12 de junio de 2007.

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