Samsung desarrolla la primera DRAM HBM3E 12H de 36 GB de la industria. La memoria DRAM HBM3E 12H de Samsung ofrece la HBM de mayor capacidad de la industria con una innovadora pila de 12 capas, lo que aumenta el rendimiento y la capacidad en más de un 50 %. La tecnología avanzada TC NCF mejora la densidad vertical y las propiedades térmicas. Samsung está listo para satisfacer la demanda de soluciones de alto rendimiento y alta capacidad en la era de la IA.

Lima, Perú, 3 de marzo del 2024.— Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció que ha desarrollado la DRAM HBM3E 12H, la primera HBM3E DRAM de 12 pilas de la industria y el producto HBM de mayor capacidad hasta la fecha.

La DRAM HBM3E 12H de Samsung proporciona un ancho de banda sin precedentes de hasta 1280 gigabytes por segundo (GB/s) y una capacidad líder en la industria de 36 gigabytes (GB). En comparación con la HBM3 8H de 8 pilas, ambos aspectos han mejorado en más de un 50%.

Los proveedores de servicios de IA de la industria requieren cada vez más HBM con mayor capacidad, y nuestro nuevo producto HBM3E 12H ha sido diseñado para responder a esa necesidad», dijo Yongcheol Bae, vicepresidente ejecutivo de Planificación de Productos de Memoria de Samsung Electronics. «Esta nueva solución de memoria forma parte de nuestro esfuerzo para el desarrollo de tecnologías esenciales para HBM de alta pila (high-stack) y para asegurar el liderazgo tecnológico para el mercado de HBM de alta capacidad en la era de la IA».

La DRAM HBM3E 12H utiliza una película no conductora de compresión térmica avanzada (TC NCF), lo que permite que los productos de 12 capas tengan la misma especificación de altura que los de 8 capas para cumplir los requisitos actuales del paquete HBM. Se espera que esta tecnología aporte beneficios adicionales, especialmente con pilas más altas, ya que la industria busca reducir la deformación de las pastillas, una característica de las pastillas más delgadas. Samsung viene reduciendo el espesor de su material NCF y ha logrado la brecha entre chips más pequeña de la industria, con siete micrómetros (μm), al tiempo que ha eliminado los huecos entre capas. Estos esfuerzos dan como resultado una densidad vertical mejorada en más del 20% en comparación con el HBM3 8H.

El avanzado TC NCF de Samsung también mejora las propiedades térmicas del HBM al permitir el uso de protuberancias de varios tamaños entre los chips. Durante el proceso de unión del chip, se utilizan protuberancias más pequeñas en áreas de señalización y otras más grandes en puntos que requieren disipación de calor. Este método también ayuda a aumentar el rendimiento del producto.

Con el crecimiento exponencial de las aplicaciones de IA, se espera que la HBM3E 12H sea una solución óptima para futuros sistemas que requieran más memoria. Su mayor rendimiento y capacidad permitirán a los clientes gestionar sus recursos de forma más flexible y reducir el costo total de propiedad (TCO) de los centros de datos. Cuando se utiliza en aplicaciones de IA, se estima que, en comparación con el HBM3 8H, la velocidad promedio para el entrenamiento de IA aumentará en un 34%, mientras que el número de usuarios simultáneos de servicios de inferencia puede crecer más de 11,5 veces.[1]

Samsung ha comenzado a proporcionar muestras de la DRAM HBM3E 12H a los clientes y su producción en masa está prevista para el primer semestre de este año.

Acerca de Samsung Electronics Co., Ltd.

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[1] Basado en resultados de simulación interna

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