La memoria flash 3D de 332 capas supera los 37 Gb/mm² y alcanza una interfaz NAND de 4,8 Gb/s para futuras arquitecturas de almacenamiento de IA. La tecnología NAND QLC de décima generación aumenta hasta 60% la densidad de bits frente a la octava generación, supera los 37 Gb/mm², incorpora 332 capas y alcanza una interfaz NAND de hasta 4,8 Gb/s. Kioxia y SanDisk la orientan a futuros sistemas de almacenamiento de alta capacidad para IA, cloud y data centers.

Aspectos clave

• La tecnología utiliza QLC, almacenando cuatro bits por celda.
• Integra una arquitectura de 332 capas.
• Kioxia y SanDisk declaran más de 37 Gb/mm² de densidad de bits.
• La mejora frente a su octava generación alcanza hasta 60%.
• La interfaz NAND llega a 4,8 Gb/s mediante Toggle DDR6.0 y SCA.
• La arquitectura CBA fabrica por separado la lógica CMOS y la matriz de memoria y después une ambas obleas.
• PI-LTT busca reducir el consumo asociado con la transferencia de datos de salida.
• Los 4,8 Gb/s corresponden a la interfaz NAND, no a la velocidad final garantizada de un futuro SSD.
• La afirmación de “mayor densidad de bits de la industria” corresponde a una evaluación de Kioxia y SanDisk con fecha 4 de agosto de 2026.

La IA también está cambiando la arquitectura del almacenamiento

Santa Clara, California, 9 de agosto de 2026.— Buena parte de la conversación sobre infraestructura de inteligencia artificial se concentra en GPU, CPU, redes y energía. Sin embargo, los modelos necesitan también enormes volúmenes de información disponibles para entrenamiento, inferencia, RAG, checkpoints, conjuntos de datos y resultados generados. Eso sitúa al almacenamiento en otra frontera de la carrera por la IA. Durante la conferencia Future of Memory and Storage —FMS—, Kioxia y SanDisk presentaron una nueva tecnología de memoria flash 3D QLC de décima generación diseñada para incrementar simultáneamente capacidad, rendimiento de interfaz y eficiencia energética. Las compañías afirman haber alcanzado una densidad superior a 37 gigabits por milímetro cuadrado, hasta 60% más que su memoria flash 3D de octava generación. La cifra importa porque una mayor densidad permite almacenar más información sobre una superficie de silicio determinada.

QLC: cuatro bits dentro de cada celda

QLC significa Quad-Level Cell. A diferencia de tecnologías que almacenan menos bits por celda, QLC codifica cuatro bits, aumentando la cantidad de información que puede mantenerse dentro de la misma estructura física. Esta estrategia favorece particularmente aplicaciones donde la capacidad y el costo por bit poseen un gran peso, aunque exige mecanismos sofisticados de control, corrección de errores, firmware y gestión de la NAND. Kioxia ya posiciona flash QLC dentro de su estrategia para la era de inferencia de IA y mantiene una familia LC de SSD de gran capacidad basada en esta tecnología; su hoja de ruta contempla trasladar progresivamente la décima generación de BiCS FLASH hacia nuevas líneas de productos. La nueva tecnología anunciada en FMS todavía debe recorrer ese camino desde la memoria NAND hasta los productos comerciales que finalmente la incorporen.

332 capas para aumentar la densidad tridimensional

La memoria NAND moderna dejó hace tiempo de crecer únicamente sobre un plano. La arquitectura 3D NAND apila verticalmente capas de celdas para aumentar capacidad sin depender exclusivamente de reducir sus dimensiones laterales. Kioxia y SanDisk llevan esta generación hasta 332 capas, acompañadas de una optimización del diseño físico o floor plan. Según ambas compañías, esa combinación permite superar los 37 Gb/mm² en QLC. El número de capas, sin embargo, no explica por sí solo todo el rendimiento. También importan:

• densidad lateral;
• tamaño del die;
• rendimiento de fabricación;
• interfaz;
• controlador;
• empaquetado;
• firmware;
• gestión térmica.

Por eso, comparar tecnologías NAND únicamente mediante el número de capas puede ofrecer una imagen incompleta.

CBA separa la lógica de la memoria antes de unirlas

Uno de los elementos centrales de esta generación es CMOS directly Bonded to Array —CBA—. En lugar de fabricar toda la estructura utilizando exactamente el mismo proceso sobre una única oblea, Kioxia y SanDisk producen por separado:

1. la oblea que contiene la lógica CMOS;
2. la oblea con las celdas de memoria.

Posteriormente ambas se unen mediante alineación de alta precisión wafer-to-wafer. La ventaja conceptual consiste en poder optimizar cada parte para una función diferente antes de ensamblarlas. Kioxia y SanDisk ya emplean CBA en sus generaciones recientes y confirmaron en julio de 2026 el inicio de producción de flash de décima generación en la planta Fab2 de Kitakami, Japón. Esa producción comprende la plataforma tecnológica BiCS10 de décima generación; no significa que la variante QLC anunciada ahora se encuentre ya disponible comercialmente en todos los formatos.

4,8 Gb/s: qué significa realmente esa cifra

El nuevo diseño alcanza una interfaz NAND de hasta 4,8 gigabits por segundo. Para conseguirlo, las compañías utilizan Toggle DDR6.0 junto con el protocolo Separate Command Address —SCA—, destinado a mejorar el aprovechamiento de la interfaz rápida. La precisión aquí es importante: 4,8 Gb/s no significa que un futuro SSD vaya a transferir archivos al usuario exactamente a 4,8 Gb/s. La cifra describe la velocidad de interfaz de la memoria NAND bajo el entorno de prueba de las compañías. El rendimiento final del SSD dependerá además del número de canales, controlador, firmware, paralelismo, interfaz PCIe, carga de trabajo y otras variables. Kioxia y SanDisk especifican expresamente que los 4,8 Gb/s fueron obtenidos en un entorno determinado y pueden variar de acuerdo con las condiciones de utilización.

La décima generación ya había alcanzado 4,8 Gb/s en TLC

La arquitectura BiCS10 no aparece por primera vez con este anuncio. En julio, SanDisk comenzó a muestrear su variante TLC de 1 Tb, también con 332 capas y una interfaz de hasta 4,8 Gb/s. Esa implementación alcanza más de 29 Gb/mm² y mejora la densidad 59% frente a BiCS8. La nueva variante QLC anunciada ahora empuja la densidad por encima de 37 Gb/mm², aprovechando precisamente la capacidad de almacenar más bits por celda. Así pueden distinguirse dos objetivos dentro de una misma generación:

• TLC: equilibrio entre rendimiento, resistencia y capacidad.
• QLC: énfasis mayor en densidad y capacidad por unidad de silicio.

La decisión final corresponde al tipo de carga y al diseño que haga cada fabricante de SSD.

La eficiencia energética empieza a importar por cada bit

Los data centers de IA no están preocupados únicamente por cuánto almacenamiento pueden instalar. También necesitan saber cuánta energía consume mover esos datos. La décima generación incorpora PI-LTT —Power-Isolated Low-Tapped Termination—, una tecnología de interfaz destinada a mejorar la eficiencia durante las transferencias de salida de E/S. En la variante TLC de BiCS10, SanDisk ya ha cuantificado reducciones de consumo de 10% para entrada y 34% para salida frente a BiCS8. El comunicado QLC proporcionado a IT/USERS® Magazine no publica porcentajes equivalentes para esta variante concreta. Por rigor editorial, no debemos trasladar automáticamente los números TLC al producto QLC.

Más densidad puede significar SSD de mucha mayor capacidad

La densidad del silicio abre el camino para colocar más NAND dentro de una determinada envolvente física. Esto puede traducirse eventualmente en unidades con más terabytes por SSD y más petabytes por rack, dependiendo de la arquitectura que desarrollen los fabricantes. Kioxia ya muestra hacia dónde se dirige la industria: dentro de su estrategia para inferencia de IA presentó una familia LC de SSD QLC cuyo modelo actual alcanza 245 TB. Eso no significa que la nueva QLC de 332 capas corresponda automáticamente a ese SSD. La importancia radica en la trayectoria tecnológica: combinar cada vez más capacidad por dispositivo con interfaces suficientemente rápidas para que el almacenamiento no se convierta en un cuello de botella.

La inferencia de IA aumenta el valor del almacenamiento

Durante el entrenamiento, grandes conjuntos de datos alimentan aceleradores durante periodos prolongados. Pero a medida que la IA entra en producción, aparecen otros patrones:

• bases vectoriales;
• recuperación de conocimiento;
• historiales;
• contenido multimodal;
• memoria contextual;
• datos generados por agentes;
• resultados intermedios;
• repositorios de modelos.

Kioxia considera que la transición desde entrenamiento hacia una era de inferencia masiva incrementará el volumen de procesamiento y la necesidad de almacenamiento flash especializado.

Hideshi Miyajima, CTO de Kioxia, lo relaciona además con la evolución desde IA generativa hacia IA agéntica e IA física:

A medida que la IA sigue impulsando el avance de la sociedad, sus aplicaciones ganan terreno desde la IA generativa hasta la IA basada en agentes y la IA física, mientras que el uso de los datos se vuelve cada vez más diverso y sofisticado. La tecnología QLC permite el almacenamiento eficiente de volúmenes de datos en rápida expansión, y esto contribuye a ofrecer un mayor rendimiento y escalabilidad para los sistemas de IA. Kioxia se ha comprometido a acelerar el desarrollo para la comercialización de sus productos de memoria flash de 10.ª generación que incorporan la tecnología QLC”.

El ejecutivo señala que Kioxia acelerará el desarrollo necesario para comercializar productos de décima generación que incorporen QLC.

SanDisk apunta al almacenamiento hyperscale

Para SanDisk, la presión proviene simultáneamente del entrenamiento, la inferencia y las plataformas hyperscale.

Alper Ilkbahar, CTO de la compañía, señaló:

A medida que el entrenamiento y la inferencia de la IA, así como las cargas de trabajo de los centros de datos a hiperescala, impulsan un crecimiento nunca visto en la generación de datos, la industria del almacenamiento se enfrenta a una presión cada vez mayor para ofrecer mayor capacidad, mayor rendimiento y una mejor eficiencia energética. Al redefinir los límites de rendimiento y eficiencia de la tecnología NAND QLC, nuestra memoria flash 3D QLC de 10.ª generación ofrece mejoras simultáneas en densidad, ancho de banda y eficiencia energética, y establece un nuevo paradigma para el almacenamiento flash de alta capacidad con el fin de proporcionar una base escalable para las aplicaciones de infraestructura de próxima generación”.

La nueva memoria busca atender esos tres vectores a la vez: densidad, ancho de banda y eficiencia. La dificultad de ingeniería reside precisamente en que mejorar uno de estos factores puede introducir compromisos en otros. Por eso, la innovación NAND no puede evaluarse únicamente por capacidad.

La memoria NAND y el SSD no son lo mismo

Esta distinción merece quedar explícita para nuestros lectores. NAND flash es el semiconductor donde se almacenan físicamente los datos. Un SSD es un sistema mucho más amplio que combina:

• chips NAND;
• controlador;
• firmware;
• memoria de administración;
• corrección de errores;
• interfaces;
• componentes de alimentación;
• encapsulado.

Por ello, una innovación anunciada en NAND establece la base para futuros SSD, pero no determina por sí sola todas sus especificaciones. Es el controlador quien decide cómo distribuir escrituras, corregir errores, administrar bloques, utilizar paralelismo y mantener el rendimiento a medida que la unidad se llena o envejece.

QLC también plantea desafíos de resistencia

Guardar más estados eléctricos dentro de una misma celda permite almacenar más información, pero reduce la distancia existente entre esos estados. Eso exige mayor precisión de lectura y escritura y una gestión más sofisticada de errores y desgaste. En la práctica, los fabricantes compensan esas características mediante:

• algoritmos de ECC;
• wear leveling;
• sobreaprovisionamiento;
• caché;
• firmware;
• gestión térmica;
• reconstrucción de datos.

La consecuencia es que la pregunta adecuada no es si “QLC es mejor o peor” que TLC.

La pregunta correcta es: ¿para qué carga de trabajo fue diseñado el SSD que utiliza esa NAND?

La IA necesita diferentes clases de almacenamiento

No todos los datos de IA poseen el mismo perfil de acceso. Una arquitectura puede utilizar simultáneamente:

• almacenamiento extremadamente rápido para datos activos;
• SSD de capacidad elevada para conjuntos de conocimiento;
• almacenamiento de objetos para información menos frecuente;
• sistemas de archivo para retención.

El valor de QLC aparece especialmente cuando capacidad, densidad y economía por bit pesan más que maximizar el número de escrituras de cada celda. Por eso, la nueva tecnología podría resultar particularmente relevante para repositorios masivos, inferencia, contenido generado y determinadas capas de almacenamiento cloud. La configuración real dependerá del SSD y del sistema donde finalmente se implemente.

Más contexto

La afirmación de que la nueva NAND QLC alcanza la mayor densidad de bits de la industria procede de una encuesta realizada por Kioxia y SanDisk y se refiere a la situación al 4 de agosto de 2026. Asimismo:

• los 37+ Gb/mm² describen densidad de bits del semiconductor;
• los 4,8 Gb/s corresponden a la interfaz NAND en condiciones de prueba;
• el aumento de hasta 60% compara esta QLC con la octava generación de las compañías;
• el comunicado no anuncia todavía un SSD comercial concreto basado en esta variante QLC;
• las especificaciones definitivas de futuros productos pueden variar.

La producción de tecnología flash de décima generación comenzó en julio en la planta Fab2 de Kitakami, según lo comunicado por Kioxia y SanDisk.

Datos citables

• La nueva memoria utiliza 332 capas.
• Supera los 37 Gb/mm² de densidad QLC.
• Incrementa la densidad hasta 60% frente a la octava generación.
• La interfaz NAND alcanza hasta 4,8 Gb/s.
• Utiliza Toggle DDR6.0 y SCA.
• CBA fabrica por separado CMOS y matriz de memoria antes de unirlas.
• PI-LTT está orientada a mejorar la eficiencia energética de la E/S.
• SanDisk ya muestrea BiCS10 TLC de 1 Tb con 332 capas y 4,8 Gb/s.
• La fabricación de flash de décima generación comenzó en Kitakami Fab2 en julio de 2026.

Preguntas y respuestas para comprender la nueva NAND

¿Qué significa QLC?

Quad-Level Cell identifica memoria NAND que almacena cuatro bits de información por cada celda.

¿Más capas significan automáticamente un SSD más rápido?

No. Las capas aumentan principalmente la capacidad potencial. El rendimiento final también depende del controlador, número de canales, firmware, interfaz y configuración del SSD.

¿Qué son los 37 Gb/mm²?

Representan densidad de bits dentro del semiconductor: cuánta información puede almacenarse por unidad de superficie del die. No equivalen directamente a la capacidad final de un SSD.

¿Los 4,8 Gb/s son la velocidad del SSD?

No. Es la velocidad máxima declarada de la interfaz NAND bajo condiciones específicas de prueba.

¿QLC sustituirá a TLC?

No necesariamente. Ambas pueden coexistir porque priorizan diferentes equilibrios entre densidad, rendimiento, resistencia y costo.

¿Por qué la IA necesita cada vez más flash?

Porque entrenamiento, inferencia, RAG, agentes y contenidos multimodales generan y consultan grandes volúmenes de datos que deben permanecer accesibles con baja latencia y una economía razonable.

Knowledge Layer | Glosario

• NAND Flash: memoria no volátil que conserva los datos sin necesitar alimentación eléctrica permanente.
• QLC —Quad-Level Cell—: NAND capaz de representar cuatro bits por cada celda de memoria.
• TLC —Triple-Level Cell—: NAND que almacena tres bits por celda.
• 3D NAND: arquitectura que apila celdas verticalmente en múltiples capas para incrementar densidad.
• Bit Density: cantidad de bits almacenados por unidad de superficie del semiconductor.
• CBA —CMOS directly Bonded to Array—: arquitectura que fabrica la lógica CMOS y la matriz de memoria en obleas independientes antes de unirlas.
• Toggle DDR6.0: generación de interfaz NAND utilizada para transferir información a alta velocidad.
• SCA —Separate Command Address—: protocolo que separa determinadas señales de comando y direccionamiento para aprovechar mejor interfaces rápidas.
• PI-LTT: tecnología de terminación de interfaz orientada a reducir el consumo durante la transferencia de datos.
• SSD —Solid State Drive—: unidad de almacenamiento que combina NAND, controlador, firmware y otros componentes para presentar un sistema completo al host.

¿Por qué es importante?

La IA está convirtiendo el almacenamiento en parte del sistema de cómputo, no en un depósito secundario. A medida que crecen los modelos, agentes y repositorios de conocimiento, cada rack necesita almacenar más información y moverla utilizando menos energía. Una NAND más densa puede ampliar capacidad sin aumentar proporcionalmente espacio físico, pero su verdadero valor aparecerá cuando controladores y SSD conviertan esa densidad en rendimiento utilizable.

Visión Estratégica

La próxima frontera de la infraestructura de IA no se decidirá únicamente en la GPU. El crecimiento de la inferencia obligará a mantener inmensos conjuntos de datos cerca del cómputo y accesibles con una economía energética sostenible. QLC representa una apuesta por llevar más capacidad al mismo espacio físico, mientras CBA y las nuevas interfaces buscan impedir que densidad signifique lentitud. Para los data centers, la métrica estratégica evolucionará desde “cuántos terabytes tiene este SSD” hacia cuántos petabytes puedo desplegar por rack, con qué ancho de banda, a qué consumo y durante cuánto tiempo.

Acerca de Kioxia

Kioxia es líder mundial en soluciones de memoria, dedicada al desarrollo, producción y venta de memorias flash y unidades de estado sólido (SSD). En abril de 2017, su predecesora Toshiba Memory se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia se compromete a mejorar el mundo con “memoria” ofreciendo productos, servicios y sistemas que generen opciones para los clientes y valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos teléfonos inteligentes avanzados, PC, sistemas automotrices, centros de datos y sistemas de inteligencia artificial generativa.

Acerca de Sandisk

Sandisk (Nasdaq: SNDK) ofrece soluciones flash innovadoras y tecnologías avanzadas de memoria diseñadas para acompañar las necesidades actuales y futuras de las personas y las empresas, con el objetivo de ayudarlas a avanzar y ampliar sus posibilidades.

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