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Toshiba despacha el primer embarque de muestras del mundo de memorias flash 3-D de 64 capas. La nueva generación de Toshiba BiCS FLASH™ agrega capas e impulsa la capacidad

TOKIO, Japón, 01 de agosto, del 2016.— Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) reveló la última generación de su memoria flash tridimensional (3-D) BiCS FLASH™ con una estructura de células apiladas*1, un dispositivo de 64 capas que será el primero*2 en el mundo en despachar envíos de muestras a partir de ahora.

El nuevo dispositivo incorpora una tecnología de 3 bits por célula (celular de triple nivel, TLC) y alcanza una capacidad de 256 gigabits (32 gigabytes), un avance que subraya el potencial de la arquitectura patentada de Toshiba. Toshiba continúa mejorando su BiCS FLASH™, y el siguiente hito en la hoja de ruta del desarrollo es un dispositivo de 512 gigabits (64 gigabytes), también con 64 capas.

El nuevo dispositivo sucede al BiCS FLASH™ de 48 capas, y su proceso de avanzada de apilado de 64 capas genera un 40 % más de capacidad por tamaño de unidad de chip que el proceso de apilado de 48 capas, reduce el costo por bit e incrementa la habilidad de producción de capacidad de memoria por una oblea de silicio.

La BiCS FLASH™ de 64 capas puede cumplir las exigentes especificaciones de desempeño, y el nuevo dispositivo será utilizado en aplicaciones que incluyen SSD, teléfonos inteligentes, tablets y tarjetas de memoria para consumidores y empresas.

Desde el anuncio del primer*3 prototipo de tecnología de memoria flash 3-D del mundo en junio de 2007, Toshiba ha continuado avanzando en su desarrollo. La empresa promueve activamente la BiCS FLASH™ para cubrir la demanda de mayor capacidad con menor tamaño.

Toshiba producirá la nueva BiCS FLASH™ de 64 capas en la nueva planta Fab 2 de Operaciones en Yokkaichi, la que fue oficialmente inaugurada a principios de este mes, y la producción a escala de la BiCS FLASH™ de 64 capas está programada para comenzar en el primer semestre de 2017.

  1. Una estructura que apila verticalmente células de memoria Flash sobre un sustrato de silicio para alcanzar significativas mejoras de densidad en comparación con la memoria Flash NAND plana, donde las células se forman en el sustrato de silicio.
  2. Al 27 de julio de 2016. Encuesta de Toshiba.
  3. Presentación de Toshiba del 12 de junio de 2007.
    * BiCS FLASH es una marca comercial de Toshiba Corporation.

Acerca de Toshiba

Toshiba Corporation, una empresa de la lista Fortune Global 500, canaliza las capacidades de clase mundial en productos y sistemas eléctricos y electrónicos avanzados de tres áreas principales de negocios: Energía que sostiene la vida cotidiana, es más limpia y más segura; Infraestructura que sostiene la calidad de vida y Almacenamiento que sostiene a la sociedad de información avanzada. Siguiendo los principios del Compromiso básico de Toshiba Group, “Comprometidos con la gente, comprometidos con el futuro” (Committed to People, Committed to the Future), Toshiba promueve operaciones internacionales y contribuye a la existencia de un mundo en el que las generaciones futuras vivan mejor.

Fundada en Tokio en 1875, Toshiba actualmente, se encuentra en el centro de una red global de 550 empresas consolidadas que emplean 188 000 personas en todo el mundo, con ventas anuales que superan los 5600 billones de yenes (50 000 millones de USD). (Al 31 de marzo de 2016).
Para obtener más información sobre Toshiba, visite www.toshiba.co.jp/index.htm

El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versión oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptación y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la única versión del texto que tendrá un efecto legal.

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